Политехническая школа EPFL в Лозанне (Швейцария) открыла еще в 2011 году свойства молибдена, которые оказались полупроводниковыми (MoS2).
Недавно ими был показан прототип датчика изображений, в котором вместо кремния применяется двухмерный материал. Новинка описывается в статье журнала Nature Nanotechnology, и указывается, что по чувствительности метод в пять раз превосходит современные технологии.
Для того, чтобы провести регистрацию пикселя, заряд генерируется падающим светом, при этом должен превосходить порог тока от батарей. Очень небольшое напряжение требуется для существования одноатомному слою молибденита. Из этого явствует, что на определение низкого порога тратиться меньше энергии света.
Прототип создавался только с той целью, чтобы показать потенциал молибденита, который использовался в цифровых камерах. В нем содержится всего один пиксель, а он требует света меньше в пять раз для того чтобы инициализировать перенос заряда, чем в доступных на сегодняшний день кремниевых сенсоров. Таким способом можно революционизировать съемку, которая проводится в условиях низкого естественного освещения, при этом дается возможность отказаться от использования фотовспышки, а при долгой экспозиции вносятся шумы усиления.
Молибденит является материалом, который широко распространяется, и самое главное, что он не дорогой. Для того чтобы изготовить прототип не требовались другие полупроводники. Это даст возможность упростить и удешевить процесс производства.
Ваше мнение