Сводная команда Окриджской национальной лаборатории и Университета Райса написали в журнале под названием Nature Materials о довольно большом достижении на пути к созданию двумерной электронике – метод управляемого выращивания однородных слоев дисульфида молибдена.
Основной целью данного проекта можно назвать соединение полупроводящего MDS с графеном – это полуметалл, в котором отсутствует запрещенная зона, и гексагональным нитридом бора – диэлектриком, чтобы получить полевые транзисторы, фотодетекторы, логические интегральные схемы и гибкие оптоэлектронные устройства.
MDS отличается от hBN и графена тем, что он является не полностью плоским. Его решетка имеет гексагональный вид только сверху, на самом же деле она создана из слоя молибдена, который заключен между двумя слоями серы.
До сегодняшнего момента выращивание MDS требуемой формы представляло собой трудную задачу. Метод «липкой ленты» давал не очень стабильные результаты, а предыдущие попытки вакуумного напыления в итоге приводили к образованию очень мелких зерен MDS.
Тем не менее, в течение этих ранних экспериментов, учены поняли, что нуклеацию MDS есть возможность контролировать, путем ввода дефектов и искусственных граней в подложку. Сейчас они умеют выращивать зерна размерами до 100 мкм, электрические свойства которых уже есть возможность использовать.
Для проведения анализа атомарной структуры полученных массивов MDS исследователи использовали сканирующий электронный микроскоп с разрешением до разделения на отдельные ядра. Расчеты энергий сложных моделей дефектов были осуществлены на системе Da VinCI в Университете Райса при финансовой поддержке Американского Национального научного фонда.