Исследователи пришли к выводу о том, что наибольшую эффективность имеют фотоэлектронные устройства, которые изготовлены из материалов, которые относятся к III-V классу.
Такой материал имеет высокую стоимость подложек для роста эпитаксиально, длительность процесса, при котором они выращиваются, вложение больших инвестиций в изготовление производственного оборудования, делает материал в десятки раз дороже, чем кремний. Только эти обстоятельства и ограничивали применение солнечных элементов, которые более продуктивно преобразуют получаемый свет в электрическую энергию, несмотря на ее востребованность в военном и космическом секторе.
Такой способ носит имя низкозатратного роста и изготовляется из очень тонких пленок, так называемых полупроводников, которые были предложены разработчиками университета Беркли в Калифорнии (UC Berkeley). Такой материал способен на высокоуровневые батареи и светодиоды сделать низкие сцены, которые будут приемлемыми для потребительского рынка.
Исследователями было продемонстрировано, что слой фосфита индия, который имеет толщину 1-3 мкм, представится возможным вырастить его на молибденовой фольге, что сделать намного быстрее и не потратиться. Это лучше сделать при помощи новых методов, чем традиционных, что даст возможность сохранить оптоэлектрические характеристики.
Работа группы исследователей проводилась благодаря финансовой поддержки, которую осуществляло Министерство энергетики США, а результаты проведенных исследований опубликованы 24 июля.
Ваше мнение